項目 | CW1000 |
構造 |
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製品厚み | 720~900 (μm) |
弾性率 | 500Mpa (22℃) |
適用温度 | -20~50℃ ※1 |
サイズラインアップ | 6inch: JEITA オリフラ
8/12inch: Vノッチ |
対象異物 | Si, Metal (Organic) |
異物サイズ | 0.2μm以上 |
※1) 50℃以上の場合はお問い合わせください。
プロセス | 効果 |
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ドライエッチング | 冷却ヘリウムの還流安定化 |
メンテナンス時間最小化 | |
プローブ | ウエハ薄化に伴う吸着時ウエハクラック・破損防止 |
リソグラフィー | バキュームエラーの減少 |
焦点エラーの減少 | |
メンテナンス時間最小化 | |
イオン注入 | ステージ及び搬送アームのクリーニング |
デバイス | 効果 |
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メモリ | ドライエッチャー、リソグラフィ工程 |
パワーデバイス | 裏面プロセス形成、プローバー |
Saw/Bawフィルタ | ドライエッチャー、スパッタ |
MEMS | ドライエッチャー
詳細はMEMS製造課題の解決をご覧ください |
CW1000を用いることで、大気開放をする通常のチャンバー清掃よりダウンタイムを短くすることができます。
※大気開放清掃をするまでのスパンを伸ばすことができる。
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