清潔晶圓具有特殊的清潔層，可移除殘留在半導體製造設備上的小微粒。與依序手洗的方法相比，使用清洗晶片可大幅縮短工具的停機時間。清潔晶圓也可用於預防性的維護，從而改善產能。
| 項目 | CW1000 |
| 結構 |
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| 總厚度 | 720～900（μm） |
| 表面硬度 | 500Mpa（22°C） |
| 操作溫度 | -20～50°C ※1 |
| 尺寸 | 6 吋：導引平面
8／12 吋：V 型凹口 |
| 粒子類型 | 矽，金屬（有機） |
| 粒子大小 | 0.2μm 及以上（測量值） |
※1 以下情況發生請諮詢我們，操作溫度較高於 50 °C .
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設備 | 效果 |
| 乾蝕刻 | 穩定冷卻氦氣 | |
| 縮短維護時間 | ||
| 深測器 | 減少定期維護的頻率 | |
| 光刻 | 減少真空錯誤 | |
| 減少焦點錯誤 | ||
| 縮短維護時間 | ||
| 離子實施 | 減少定期維護的頻率 | |
| 裝置類型 | 目標 | |
| 記憶體/邏輯 | 乾蝕刻、光刻、步進器 | |
| 電力裝置 | 步進器，探測器 | |
| 表面聲波濾波器/體聲波濾波器 | 乾蝕刻、分散 | |
| MEMS | 乾蝕刻 |
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上班時間 (台灣時間) 8:30-17:30
(星期六、星期日與例假日除外)
