O wafer de limpeza, tendo uma camada especial de limpeza, pode remover pequenas partículas no equipamento de fabricação do semicondutor. O tempo ocioso das ferramentas pode ser drasticamente reduzido ao utilizar o wafer de limpeza, comparado com o método comum de limpeza manual. O wafer de limpeza pode também ser usado para manutenção preventiva de modo que a melhora do rendimento possa ser esperada.
Item | CW1000 |
Estrutura |
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Espessura total | 720 ~ 900 (μm) |
Dureza da superfície | 500 Mpa (22 °C) |
Temperatura de operação | ~ 20 ~ 50 °C ※1 |
Tamanho | 6 polegadas: Plano oriental
8/12 polegadas: Entalhe em V |
Tipo de partícula | Si, Metal (Orgânico) |
Tamanho da partícula | 0,2 μm ou mais (valor de medição) |
※1 Consulte-nos caso a temperatura de operação for maior do que 50 °C .
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Equipamentos | Efeito |
Gravura seca | Estabilizar o gás hélio de resfriamento | |
Reduzir o tempo de manutenção | ||
Sondagem | Reduzir a frequência de manutenção regular | |
Litografia | Reduzir erro de vácuo | |
Reduzir o erro de foco | ||
Reduzir o tempo de manutenção | ||
Implementação de íons | Reduzir a frequência de manutenção regular | |
Tipos de dispositivos | Meta | |
Memória/Lógica | Gravura a seco, litografia, passo a passo | |
Dispositivo de alimentação | Passo a passo, sonda | |
Serra/Filtro de serra | Gravura a seco, espalhamento | |
MEMS | Gravura a seco |
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