Eigenschaften
Subtraktiv
- Ätzverfahren mit hoher Auflösung ermöglicht Linienverarbeitung mit hohem Seitenverhältnis.
Semiadditiv
- Da die Leiterform nicht trapezförmig ist, kann die obere Breite auch bei feinem Pitch erhalten werden.
- Keine Notwendigkeit für dünne Leiter, um die obere Breite zu erzielen.
Spezifikationen und technische Informationen
Subtraktiver Prozess
| Leiterdicke | Nennbreite | Ätzfaktor |
| 12 μm [1/3 oz] | Leitung/Abstand=25/25 μm (Präzision: <5 μm) | Über 3 |
Semiadditiver Prozess
| Leiterdicke | Nennbreite | Ätzfaktor |
| <15 μm (Präzision: <4 μm) | Leitung/Abstand=20/20 μm (Präzision: <3 μm) | ∞ |
Anwendung
- Für Anwendungen mit Flüssigkristallmodulen.
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