清洗晶圆（具有一层特殊的清洗层）可去除半导体制造设备中的小颗粒。相对于按顺序进行的手工清洗方法，清洗晶圆可显著降低工具的故障时间。清洗晶圆也可用于预防性维护，因而有助于提高产品生产效率。
| 项目 | CW1000 |
| 结构 |
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| 总厚度 | 720 μm 至 900 μm |
| 表面硬度 | 500 Mpa (22℃) |
| 操作温度 | -20°C 至 50°C ※1 |
| 规格 | 6 英寸：导引平面
8 英寸/12 英寸：V 形槽 |
| 粒子类型 | 硅、金属（有机） |
| 粒度 | 0.2 μm 及以上（测量值） |
※1 如果操作温度高于 50°C，请与我们联系 .
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设备 | 影响 |
| 干蚀刻 | 稳定冷却氦气 | |
| 缩短维护时间 | ||
| 探测器 | 降低定期维护频率 | |
| 光刻 | 减少真空误差 | |
| 减少焦点误差 | ||
| 缩短维护时间 | ||
| 离子植入 | 降低定期维护频率 | |
| 设备类型 | 目标 | |
| 内存/逻辑 | 干式蚀刻机、光刻、步进机 | |
| 电源设备 | 步进机，探测器 | |
| Saw/Baw 过滤器 | 干式蚀刻机，飞溅 | |
| MEMS | 干式蚀刻机 |
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华东区域：021-5774-5720
（8:45～17:15）
华南区域：0755-88641173
（8:45～17:30）
华北区域：010-85997468-121
（8:45～17:30）
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